硬核拆評

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在這個硬件拆解視頻系列里，每一期我們將選擇幾款當下爆款的同類的物聯(lián)網(wǎng)設備，做深度硬件拆解、橫向評測和比較，讓我們來看看這些爆款背后的硬實力到底幾何。

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    32分鐘前
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  • 激光雷達再掀技術(shù)路線之爭：SiPM會被“更先進”的SPAD 打敗嗎？
    “下一款量產(chǎn)激光雷達，選SiPM方案還是SPAD方案？”隨著上游的激光雷達廠商“卷技術(shù)領(lǐng)先性”進入了新階段，這個看似簡單的選擇題，牽動著整個產(chǎn)業(yè)鏈的神經(jīng)。當下，很多車企的自動駕駛負責人、感知負責人正為這一問題而陷入猶豫不決的狀態(tài)中。
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  • 為什么很多電源PCB板上都有槽孔？不是裝飾，是為了“保命”！
    我們在拆解電源板或設計電源類PCB時，經(jīng)常會看到這樣的結(jié)構(gòu)：很多人以為這些槽孔只是為了美觀，或者是機械結(jié)構(gòu)需要。其實它的真正作用和電氣安全密切相關(guān)，關(guān)鍵就在一個知識點——爬電間距（Creepage Distance）。
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  • ADI TMC5240 步進電機驅(qū)動實戰(zhàn)?(例程) 分享
    在工業(yè)自動化和精密運動控制領(lǐng)域，ADI TMC5240 作為一款高性能步進電機控制器和驅(qū)動器 IC，其開發(fā)調(diào)試過程中的環(huán)境搭建效率可能會對產(chǎn)品開發(fā)調(diào)試造成影響。為了方便客戶快速的驗證和落地實施產(chǎn)品方案，本文提供一套已驗證的測試方案。通過結(jié)合圖形化配置工具與代碼移植方法，開發(fā)者可在 2-4 小時內(nèi)完成電機基礎功能驗證，并快速搭建實戰(zhàn)測試環(huán)境。 ADI TMC5240 基本性能介紹 ADI TMC52
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  • 越南半導體破局：自研芯片問世
    在東南亞半導體產(chǎn)業(yè)版圖上，越南正以自主研發(fā)芯片的突破性進展，刻下屬于它的印記。近期，越南CT集團于胡志明市發(fā)布一款由越南工程師設計的物聯(lián)網(wǎng)芯片，采用CMOS及III/V族半導體技術(shù)，適用于無人機、智能設備、電信等領(lǐng)域。這標志著該國在建設國內(nèi)半導體設計和生產(chǎn)能力方面的雄心取得了顯著進展。
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  • 國產(chǎn)晶圓代工，市場巨變！
    未來十年，將是晶圓代工業(yè)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折期。這一判斷，在近期一組數(shù)據(jù)中得到了清晰印證。根據(jù)?Yole Group?的最新報告，中國大陸有望在?2030?年超越中國臺灣，躍居全球最大半導體晶圓代工中心。
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  • “萬級刷新”是LED顯示下個必爭之地嗎？
    隨著大眾對顯示產(chǎn)品需求提高，越來越多顯示參數(shù)出現(xiàn)迭代，刷新率也是其中一大方向，從今年展會及產(chǎn)品發(fā)布來看，多個顯示控制企業(yè)推出了萬級刷新的產(chǎn)品。那么萬級刷新有何利弊，目前行業(yè)對此需求如何？
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  • 臺積電計劃停止GaN芯片生產(chǎn)
    7月1日，納微半導體公布了一份8-K文件，其中提到，“在獲悉公司唯一的氮化鎵晶圓供應商臺積電將于 2027 年 7 月停止 GaN 生產(chǎn)后，納微將繼續(xù)計劃實現(xiàn)氮化鎵晶圓供應來源多元化。（Navitas will continue plans to diversify its sources of GaN wafers after being informed that Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), the Company’s sole source of GaN wafers, will end GaN production in July 2027）
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  • 恩智浦與吉利汽車研究院成立聯(lián)合創(chuàng)新實驗室，共創(chuàng)汽車智能化未來
    恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克代碼：NXPI）宣布，與吉利汽車研究院成立聯(lián)合創(chuàng)新實驗室，深化雙方合作，聚焦智能化汽車技術(shù)，攜手創(chuàng)新，助力吉利汽車智能化戰(zhàn)略加速落地。 恩智浦與吉利汽車研究院聯(lián)合創(chuàng)新實驗室簽約儀式 吉利汽車研究院常務副院長任向飛，恩智浦半導體執(zhí)行副總裁兼高級模擬與汽車嵌入式系統(tǒng)業(yè)務總經(jīng)理Jens Hinrichsen代表雙方簽署實驗室合作協(xié)議。
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  • LDO電路設計選型時需要考慮的三個重要因素
    LDO的核心工作原理是通過內(nèi)部的功率器件，如PMOS或PNP將輸入電壓調(diào)整到所需的輸出電壓。調(diào)整過程中，輸入與輸出電壓差乘以負載電流會產(chǎn)生功率損耗PD，幾乎全部轉(zhuǎn)化為熱量。如果這些熱量無法有效散出，穩(wěn)壓器的結(jié)溫TJ將升高，可能超過datasheet規(guī)定的最大結(jié)溫如125°C，從而影響器件可靠性，甚至導致永久性損壞。
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