氮化鎵

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氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。收起

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    7月2日,英飛凌在官網(wǎng)宣布,其基于12英寸晶圓的可擴(kuò)展氮化鎵制造技術(shù)進(jìn)展順利,首批樣品將于2025 年第四季度向客戶(hù)提供。據(jù)了解,英飛凌已能在現(xiàn)有大批量制造基礎(chǔ)設(shè)施內(nèi)成功開(kāi)發(fā)12英寸氮化鎵功率晶圓技術(shù)。英飛凌表示,他們已做好準(zhǔn)備,將擴(kuò)大客戶(hù)群,進(jìn)而鞏固其市場(chǎng)地位。
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    充電頭網(wǎng)第3638篇拆解報(bào)告。
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  • 儲(chǔ)能采用GaN,出貨超120萬(wàn)臺(tái)
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    作者:Frederik Dostal,電源管理主題專(zhuān)家 摘要 本文闡釋了在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專(zhuān)用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案,可提供必要的功能,打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外,本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來(lái)使用,以便成功部署GaN開(kāi)關(guān)。 引言 氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導(dǎo)體,為開(kāi)關(guān)電模式電源(SMPS)提供了
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