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  • 超低功耗語(yǔ)音芯片有哪些
    超低功耗語(yǔ)音芯片有哪些好處?當(dāng)然是給產(chǎn)品帶來(lái)更好的續(xù)航表現(xiàn)和更好的節(jié)電表現(xiàn),但是一位的追求低功耗的也是不對(duì)的,因?yàn)楣暮彤a(chǎn)品性能之間始終是要做取舍的。下面小編給大家?guī)?lái)一些超低功耗的語(yǔ)音芯片型號(hào),希望能夠幫助到大家! WT2003H4 - 16S 作為一款工業(yè)級(jí)高品質(zhì)語(yǔ)音芯片,其工作電壓范圍在 2.0 - 5.2V ,內(nèi)置 0.5W D 類(lèi)功放,可直接驅(qū)動(dòng)小功率喇叭。支持 MP3 和 WAV 格式
  • 平板電腦防護(hù)完整方案
    平板電腦是一種集成了顯示、計(jì)算和通信功能的便攜式智能設(shè)備,采用觸控屏設(shè)計(jì),搭載高性能處理器、大容量存儲(chǔ)和長(zhǎng)效電池。它通過(guò)輕薄的機(jī)身融合了電腦的生產(chǎn)力和手機(jī)的便攜性,配備前后攝像頭、立體聲揚(yáng)聲器、多種傳感器和擴(kuò)展接口。在日常使用中,平板電腦既能滿(mǎn)足辦公學(xué)習(xí)中的文檔處理、視頻會(huì)議需求,又可作為娛樂(lè)設(shè)備觀(guān)看視頻、玩游戲。 平板電腦作為精密電子設(shè)備,其內(nèi)部集成了大量微小、敏感的電子元器件,如處理器、內(nèi)存、
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    H6911 具備 2.6~40V 的寬電壓工作范圍,這一特性使其能夠適配鋰電池及中低壓應(yīng)用場(chǎng)景。從 3.7V 鋰電池供電的便攜式照明設(shè)備,到 40V 工業(yè)級(jí)供電的戶(hù)外照明系統(tǒng),H6911 均能穩(wěn)定運(yùn)行。其內(nèi)置 40V 的 LDO 供電模塊,不僅芯片自身的穩(wěn)定工作,也為外圍 PWM 控制芯片提供了可靠的電源支持。
  • 炭塊CO?反應(yīng)測(cè)定儀工作原理 如何精準(zhǔn)測(cè)量反應(yīng)活性
    炭塊 CO?反應(yīng)測(cè)定儀以高溫下的 Boudouard 反應(yīng)為測(cè)量根基。該氣 - 固非均相反應(yīng)速率,受炭塊孔隙結(jié)構(gòu)、比表面積及化學(xué)組成等因素影響。孔隙發(fā)達(dá)、比表面積大的炭塊能提供更多反應(yīng)位點(diǎn);雜質(zhì)則可能起到催化或抑制作用,通過(guò)監(jiān)測(cè)該反應(yīng)可評(píng)估炭塊活性。
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  • BLM57050-1000電機(jī)現(xiàn)貨供應(yīng) 高性?xún)r(jià)比伺服升級(jí)首選
    BLM57050-1000電機(jī)現(xiàn)貨供應(yīng):高性?xún)r(jià)比伺服升級(jí)首選 BLM57050-1000電機(jī)是雷賽智能生產(chǎn)的一款低壓直流無(wú)刷伺服電機(jī),憑借相似步進(jìn)系統(tǒng)的價(jià)格與伺服級(jí)性能,成為工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的升級(jí)熱門(mén)選擇。BLM57050-1000額定功率50W,配套ACS306伺服驅(qū)動(dòng)器使用,編碼器分辨率達(dá)1000線(xiàn),完美匹配傳統(tǒng)有刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的安裝尺寸,實(shí)現(xiàn)無(wú)縫替換。BLM57050-1000是先楫半導(dǎo)體(
  • 惠海H7614A降壓線(xiàn)性恒流調(diào)光芯片 12V 24V 36V 低壓差 過(guò)溫點(diǎn)可調(diào)
    H7614A是一種帶PWM調(diào)光功能的線(xiàn)性降壓恒流LED驅(qū)動(dòng)器,外接兩個(gè)電阻就可以構(gòu)成一個(gè)完整的LED恒流驅(qū)動(dòng)電路。它過(guò)溫點(diǎn)可調(diào),采用熱電分離封裝技術(shù),輸出電流可調(diào)范圍為16~1200mA,調(diào)光深度0.1%,適用于攝影燈輔助光源、車(chē)燈、智能臺(tái)燈等需細(xì)膩調(diào)光的場(chǎng)景。
  • 高壓線(xiàn)驅(qū)鳥(niǎo)吊牌 談?wù)勲娋W(wǎng)防鳥(niǎo)那些事兒
    電力系統(tǒng)安全運(yùn)行離不開(kāi)對(duì)各種隱患的防范,其中包括鳥(niǎo)類(lèi)活動(dòng)。鳥(niǎo)類(lèi)在電網(wǎng)設(shè)備上筑巢是個(gè)老問(wèn)題了。樹(shù)枝、鐵絲等筑巢材料很容易引發(fā)線(xiàn)路短路,造成停電事故。 此外,還有飛行中的鳥(niǎo)類(lèi)撞擊高壓線(xiàn)路的問(wèn)題,這種撞擊不僅會(huì)讓鳥(niǎo)兒受傷或死亡,還可能導(dǎo)致線(xiàn)路損壞。針對(duì)撞線(xiàn)問(wèn)題,高壓線(xiàn)驅(qū)鳥(niǎo)吊牌就是一種簡(jiǎn)單有效的防護(hù)設(shè)備,接下來(lái),深圳真驅(qū)鳥(niǎo)就詳細(xì)聊聊。 高壓線(xiàn)驅(qū)鳥(niǎo)吊牌主要靠?jī)煞N方式來(lái)防止鳥(niǎo)撞。一是反光警示,吊牌上的菱形反光
  • CMLB041B-1R0MS超薄型一體成型功率電感現(xiàn)貨庫(kù)存DELTA
    CMLB041B-1R0MS?是臺(tái)達(dá)(DELTA)精心研發(fā)的一款超薄型一體成型功率電感(Power Choke),隸屬于高性能的CMLB041B系列,其通過(guò)先進(jìn)的金屬壓粉鐵芯技術(shù),使用表面貼裝(SMD)封裝形式,憑借出色的性能表現(xiàn),在?DC/DC?轉(zhuǎn)換器、VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊)等高頻率、大電流電源應(yīng)用中得到廣泛的應(yīng)用。 關(guān)鍵參數(shù) 電感值:1.0 μH(±20%) 直流電阻?(DCR):典型值?42
  • 同步整流MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)與效率提升技巧
    在現(xiàn)代高效率電源系統(tǒng)中,同步整流技術(shù)已成為主流選擇,尤其是在DC-DC變換器、USB快充適配器、服務(wù)器電源和車(chē)載電源等場(chǎng)景中。同步整流相比傳統(tǒng)的肖特基二極管整流,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。其核心器件——MOSFET,在設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。本文將深入探討同步整流MOSFET的選型要點(diǎn)和提升效率的設(shè)計(jì)技巧。 一、同步整流的基本原理 傳統(tǒng)整流使用二極管將AC或脈動(dòng)DC變換為純直流輸出,
  • 數(shù)據(jù)中心冷板液冷系統(tǒng)設(shè)計(jì)的五大關(guān)注要素
    根據(jù)CDU一次側(cè)散熱形式的差異,冷板液冷系統(tǒng)大體上可以分為液液型冷板液冷和風(fēng)液型冷板液冷。液液型冷板液冷系統(tǒng)包含一個(gè)二次側(cè)閉環(huán)回路,可通過(guò)間接冷卻(如機(jī)架安裝的后門(mén)熱交換器)或直接冷卻(如芯片級(jí)冷板)為IT設(shè)備提供冷卻流體。二次側(cè)回路是一個(gè)低壓密封系統(tǒng),IT設(shè)備的高熱密度區(qū)域的熱量通過(guò)一個(gè)低壓降板式熱交換器排出到外部冷卻水源(一次側(cè)回路)。
  • 技術(shù)突破!單晶金剛石合成的逆襲之路
    在人工合成金剛石的歷史長(zhǎng)河中,單晶金剛石的成功制備無(wú)疑是最耀眼的里程碑之一。從被視作 "難以企及的圣杯",到實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)、大尺寸的商業(yè)化生產(chǎn),這背后是技術(shù)參數(shù)的精準(zhǔn)突破、設(shè)備革新的持續(xù)推動(dòng),更是科研工作者突破思想禁錮的不懈探索。
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  • 激光雷達(dá)再掀技術(shù)路線(xiàn)之爭(zhēng):SiPM會(huì)被“更先進(jìn)”的SPAD 打敗嗎?
    “下一款量產(chǎn)激光雷達(dá),選SiPM方案還是SPAD方案?”隨著上游的激光雷達(dá)廠(chǎng)商“卷技術(shù)領(lǐng)先性”進(jìn)入了新階段,這個(gè)看似簡(jiǎn)單的選擇題,牽動(dòng)著整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的神經(jīng)。當(dāng)下,很多車(chē)企的自動(dòng)駕駛負(fù)責(zé)人、感知負(fù)責(zé)人正為這一問(wèn)題而陷入猶豫不決的狀態(tài)中。
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  • 為什么很多電源PCB板上都有槽孔?不是裝飾,是為了“保命”!
    我們?cè)诓鸾怆娫窗寤蛟O(shè)計(jì)電源類(lèi)PCB時(shí),經(jīng)常會(huì)看到這樣的結(jié)構(gòu):很多人以為這些槽孔只是為了美觀(guān),或者是機(jī)械結(jié)構(gòu)需要。其實(shí)它的真正作用和電氣安全密切相關(guān),關(guān)鍵就在一個(gè)知識(shí)點(diǎn)——爬電間距(Creepage Distance)。
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  • ADI TMC5240 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)戰(zhàn)?(例程) 分享
    在工業(yè)自動(dòng)化和精密運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域,ADI TMC5240 作為一款高性能步進(jìn)電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器 IC,其開(kāi)發(fā)調(diào)試過(guò)程中的環(huán)境搭建效率可能會(huì)對(duì)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)調(diào)試造成影響。為了方便客戶(hù)快速的驗(yàn)證和落地實(shí)施產(chǎn)品方案,本文提供一套已驗(yàn)證的測(cè)試方案。通過(guò)結(jié)合圖形化配置工具與代碼移植方法,開(kāi)發(fā)者可在 2-4 小時(shí)內(nèi)完成電機(jī)基礎(chǔ)功能驗(yàn)證,并快速搭建實(shí)戰(zhàn)測(cè)試環(huán)境。 ADI TMC5240 基本性能介紹 ADI TMC52
    ADI TMC5240 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)戰(zhàn)?(例程) 分享
  • 越南半導(dǎo)體破局:自研芯片問(wèn)世
    在東南亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖上,越南正以自主研發(fā)芯片的突破性進(jìn)展,刻下屬于它的印記。近期,越南CT集團(tuán)于胡志明市發(fā)布一款由越南工程師設(shè)計(jì)的物聯(lián)網(wǎng)芯片,采用CMOS及III/V族半導(dǎo)體技術(shù),適用于無(wú)人機(jī)、智能設(shè)備、電信等領(lǐng)域。這標(biāo)志著該國(guó)在建設(shè)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和生產(chǎn)能力方面的雄心取得了顯著進(jìn)展。
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  • 國(guó)產(chǎn)晶圓代工,市場(chǎng)巨變!
    未來(lái)十年,將是晶圓代工業(yè)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折期。這一判斷,在近期一組數(shù)據(jù)中得到了清晰印證。根據(jù)?Yole Group?的最新報(bào)告,中國(guó)大陸有望在?2030?年超越中國(guó)臺(tái)灣,躍居全球最大半導(dǎo)體晶圓代工中心。
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  • “萬(wàn)級(jí)刷新”是LED顯示下個(gè)必爭(zhēng)之地嗎?
    隨著大眾對(duì)顯示產(chǎn)品需求提高,越來(lái)越多顯示參數(shù)出現(xiàn)迭代,刷新率也是其中一大方向,從今年展會(huì)及產(chǎn)品發(fā)布來(lái)看,多個(gè)顯示控制企業(yè)推出了萬(wàn)級(jí)刷新的產(chǎn)品。那么萬(wàn)級(jí)刷新有何利弊,目前行業(yè)對(duì)此需求如何?
    “萬(wàn)級(jí)刷新”是LED顯示下個(gè)必爭(zhēng)之地嗎?
  • 臺(tái)積電計(jì)劃停止GaN芯片生產(chǎn)
    7月1日,納微半導(dǎo)體公布了一份8-K文件,其中提到,“在獲悉公司唯一的氮化鎵晶圓供應(yīng)商臺(tái)積電將于 2027 年 7 月停止 GaN 生產(chǎn)后,納微將繼續(xù)計(jì)劃實(shí)現(xiàn)氮化鎵晶圓供應(yīng)來(lái)源多元化。(Navitas will continue plans to diversify its sources of GaN wafers after being informed that Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), the Company’s sole source of GaN wafers, will end GaN production in July 2027)
    臺(tái)積電計(jì)劃停止GaN芯片生產(chǎn)
  • 恩智浦與吉利汽車(chē)研究院成立聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,共創(chuàng)汽車(chē)智能化未來(lái)
    恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.,納斯達(dá)克代碼:NXPI)宣布,與吉利汽車(chē)研究院成立聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,深化雙方合作,聚焦智能化汽車(chē)技術(shù),攜手創(chuàng)新,助力吉利汽車(chē)智能化戰(zhàn)略加速落地。 恩智浦與吉利汽車(chē)研究院聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室簽約儀式 吉利汽車(chē)研究院常務(wù)副院長(zhǎng)任向飛,恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼高級(jí)模擬與汽車(chē)嵌入式系統(tǒng)業(yè)務(wù)總經(jīng)理Jens Hinrichsen代表雙方簽署實(shí)驗(yàn)室合作協(xié)議。
    恩智浦與吉利汽車(chē)研究院成立聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,共創(chuàng)汽車(chē)智能化未來(lái)
  • LDO電路設(shè)計(jì)選型時(shí)需要考慮的三個(gè)重要因素
    LDO的核心工作原理是通過(guò)內(nèi)部的功率器件,如PMOS或PNP將輸入電壓調(diào)整到所需的輸出電壓。調(diào)整過(guò)程中,輸入與輸出電壓差乘以負(fù)載電流會(huì)產(chǎn)生功率損耗PD,幾乎全部轉(zhuǎn)化為熱量。如果這些熱量無(wú)法有效散出,穩(wěn)壓器的結(jié)溫TJ將升高,可能超過(guò)datasheet規(guī)定的最大結(jié)溫如125°C,從而影響器件可靠性,甚至導(dǎo)致永久性損壞。
    LDO電路設(shè)計(jì)選型時(shí)需要考慮的三個(gè)重要因素

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