功率模塊

• 基于碳化硅的雙向PCS設(shè)計(jì)

  雙向儲(chǔ)能變流器；T型三電平逆變電路；碳化硅；控制策略，碳化硅MOS，碳化硅模塊，SiC,第三代半導(dǎo)體

  碳化硅MOS+模塊+應(yīng)用（芯片）

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  06/30 16:09

  SiC MOSFET 功率模塊
• 英飛凌 IGBT7 系列芯片大解析

  核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實(shí)體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測(cè)試報(bào)告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線(xiàn)的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門(mén)”已由IGBT

  大大通

  897

  06/09 13:54

  功率半導(dǎo)體 功率模塊

  

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