士蘭微、平湖實驗室：8英寸SiC項目迎來關(guān)鍵節(jié)點

在碳化硅領(lǐng)域，大尺寸晶圓的研發(fā)與應(yīng)用始終是推動產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近日，國內(nèi)又有兩個8英寸項目迎來突破，有望為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力：

士蘭微：8吋項目首臺設(shè)備提前搬入

6月23日，據(jù)中建三局一公司官微透露，由他們承建的廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期），已提前搬入首臺設(shè)備。

文章進一步透露，該項目位于福建省廈門市，總建筑面積 23.45萬平方米，歷時110天順利實現(xiàn)階段性目標(biāo)，建成后將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力。

據(jù)“行家說三代半”此前報道，今年3月，士蘭微在官微宣布廈門士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）順利封頂。

士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越表示，他們總投資70億元的一期項目，將盡最大努力爭取在今年年底實現(xiàn)初步通線，明年一季度投產(chǎn)，到2028年底最終形成，年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

平湖實驗室：8吋SiC平臺流片成功

6月27日，深圳平湖實驗室在官微透露，他們聯(lián)合深圳市鵬進高科技有限公司，成功攻克1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片的核心技術(shù)難題，構(gòu)建了8英寸工藝平臺，實現(xiàn)了自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能1200V溝槽柵SiC?MOSFET芯片流片成功。

據(jù)了解，此次核心發(fā)明專利（專利公開號：CN118610269A）已經(jīng)獲得授權(quán)，其突破性成果具有諸多亮點：

靜態(tài)性能指標(biāo)實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低比導(dǎo)通電阻（<2.1mΩ·cm2），優(yōu)于國際主流高可靠廠商的技術(shù)水平（如 Bosch G2）。

本芯片反向擊穿電壓大于1500V，閾值電壓穩(wěn)定在3.3V，在8英寸晶圓上實現(xiàn)了具有商業(yè)價值的良率展示。

成功在8英寸晶圓上攻克包括MeV級高能離子注入、定晶向刻蝕、柵氧區(qū)域厚度分布調(diào)制、低缺陷高溫退火、低電阻歐姆接觸、高可靠性鈍化等多項SiC溝槽工藝難題，達到量產(chǎn)級工藝控制力。

成功建成國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平的全流程自主可控8英寸溝槽柵SiC?MOSFET工藝平臺，1200V?40mΩ等級溝槽柵SiC MOSFET晶圓CP良率90%以上，單片最高達到96%。

該工藝平臺的仿真制造對齊工作已基本完成，從核心元胞結(jié)構(gòu)到終端保護結(jié)構(gòu)，全套動靜態(tài)仿真與實測數(shù)據(jù)吻合度>95%

據(jù)了解，深圳平湖實驗室建有全國首條集8吋SiC/GaN科研和中試于一體的功率半導(dǎo)體開放共享平臺，覆蓋第三代功率半導(dǎo)體襯底、外延、器件制備、封裝測試、失效分析、可靠性驗證全鏈條，建成先進的8英寸工藝平臺，具備向下兼容能力。

本文發(fā)自【行家說三代半】，專注第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）行業(yè)觀察。