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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

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    全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、 DC
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  • SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
    基于多個高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱
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  • 本土功率器件上市公司營收top10 | 2024年
    2024年，全球功率器件市場整體呈萎靡態(tài)勢。然而，中國市場受益于本土新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的需求增長，市場規(guī)模仍呈現(xiàn)上漲態(tài)勢。本土廠商整體實力顯著提升，不斷加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品迭代，逐步突破高端領(lǐng)域瓶頸，國產(chǎn)化進程顯著加快。 一年一統(tǒng)計，本期與非網(wǎng)聚焦本土功率器件上市公司，詳盡梳理頭部上市公司的2024年營業(yè)收入規(guī)模和企業(yè)動態(tài)。往期可參考《本土功率器件上市公司營收top1
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    06/19 10:00
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  • 在MOSFET中，什么是CGD電容？與哪些工藝相關(guān)？
    什么是Cgd電容？想象一下MOSFET就像一個水龍頭，柵極(G)是開關(guān)把手，漏極(D)是出水口，源極(S)是進水口。Cgd就是把手和出水口之間"看不見的電線"（電容），它會讓開關(guān)動作變得不那么干脆。
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    06/18 12:44
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