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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。收起

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  • 新一代DRAM技術(shù)和市場(chǎng)趨勢(shì)深度解讀分享
    FMS 2024報(bào)告，作者是Yole Intelligenc首席分析師Simone Bertolazzi博士。 一、內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì) 數(shù)據(jù)來源：YoleYole Intelligence聯(lián)合Intel、Micron共同發(fā)布內(nèi)存與計(jì)算技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)，核心揭示了內(nèi)存性能提升速度已無法匹配計(jì)算需求的爆炸式增長(zhǎng)，呈現(xiàn)了以下關(guān)鍵矛盾與趨勢(shì)： 1.計(jì)算需求加速 vs 內(nèi)存帶寬滯后 左側(cè)圖表顯示計(jì)算芯片的核
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    07/02 16:53
    新一代DRAM技術(shù)和市場(chǎng)趨勢(shì)深度解讀分享
  • 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)收排名及趨勢(shì)預(yù)測(cè)（20205-Q1）
    最近，隨著全球主要存儲(chǔ)器廠商公布了今年Q1的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，我也根據(jù)各方面數(shù)據(jù)整理了一系列最新營(yíng)收排名表和趨勢(shì)圖，供大家參考：1）Samsung、SK Hynix和Micron的數(shù)據(jù)來自各家官網(wǎng)發(fā)布的財(cái)報(bào)。其數(shù)據(jù)和DrameXchange發(fā)布的數(shù)據(jù)存在微小差異，所以我選擇以財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。 2）Samsung的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)里存儲(chǔ)器營(yíng)收沒有區(qū)分DRAM和NAND，所以我根據(jù)DrameXchange的數(shù)據(jù)，按照比
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  • 突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲
    SK海力士在投資擴(kuò)大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）產(chǎn)能方面持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)悉，該公司推遲了原定的提前將設(shè)備引入新工廠的計(jì)劃，今年整體設(shè)備投資規(guī)模的最終確定時(shí)間也被推遲。
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    06/19 10:50
    突發(fā)！千億晶圓廠項(xiàng)目推遲
  • DRAM，開啟30年“新賭局”
    DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會(huì)在日本東京舉行，會(huì)議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應(yīng)用于10nm及以下級(jí)內(nèi)存。
    DRAM，開啟30年“新賭局”
  • NAND閃存有壽命，那DRAM內(nèi)存也有壽命說法嗎？
    這是一個(gè)NAND閃存的Cell，也就是用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元。NAND?閃存的存儲(chǔ)單元是浮柵晶體管，通過電子注入和釋放實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其?“壽命”?核心是擦寫次數(shù)（P/E Cycle）。
    NAND閃存有壽命，那DRAM內(nèi)存也有壽命說法嗎？