晶圓產(chǎn)能

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  • 晶圓濕法清洗吹掃氮氣純度要求
    晶圓濕法清洗后吹掃氮氣（N?）的純度要求至關重要，直接影響晶圓表面潔凈度、干燥效果及后續(xù)工藝良率。以下是關鍵分析： 1. 核心要求 典型純度：99.999%（5N）以上，部分高端制程（如EUV光刻）可能要求99.9999%（6N）。 雜質(zhì)控制重點： 氧氣（O?）：<1 ppm（避免氧化殘留污染物或影響金屬層）。 水蒸氣（H?O）：露點≤-70℃（防止水漬殘留導致顆粒團聚或腐蝕）。 顆粒物：&
  • 盤點臺積電全球晶圓廠產(chǎn)能和制程
    臺積電的制程演進歷史，從3um到現(xiàn)在的3nm。目前臺積電3nm（N3）已經(jīng)量產(chǎn)，這里3nm都是等效節(jié)點，非實際的物理節(jié)點。2nm（N2）計劃在2025年量產(chǎn)。而下下代則是A16節(jié)點。也就是1.6nm
    盤點臺積電全球晶圓廠產(chǎn)能和制程
  • 多條12英寸晶圓產(chǎn)線，正式投產(chǎn)！
    12英寸晶圓廠在半導體制造中占據(jù)著重要地位，2024年年末之際，潤鵬半導體、天成先進、燕東微電子、粵芯半導體、華虹無錫五條12英寸晶圓產(chǎn)線紛紛傳來投產(chǎn)動態(tài)，另包括中芯國際、廣州增芯科技在內(nèi)的2條晶圓產(chǎn)線都有最新進展，上述紛紛主要聚焦生產(chǎn)功率器件和高級邏輯芯片等。
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  • SEMI：中國半導體產(chǎn)業(yè)自主率逐年攀升，預計2027年達26.6%
    9月25日，第十二屆（2024年）中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會半導體設備年會、第十二屆半導體設備與核心部件展示會（CSEAC 2024）在無錫隆重開幕。25日上午，第十二屆（2024年）中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會半導體設備年會與集成電路（無錫）創(chuàng)新發(fā)展大會（ICIDC）開幕式上，SEMI中國區(qū)Senior Director陳莉發(fā)表了題為《全球半導體市場概況》的精彩演講，全面剖析了當前全球及中國半導體設備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢。
    SEMI：中國半導體產(chǎn)業(yè)自主率逐年攀升，預計2027年達26.6%
  • 12英寸晶圓產(chǎn)能持續(xù)放量
    12英寸晶圓廠投資熱度不減，此前瑞薩電子、力積電、臺積電、聯(lián)電等都已宣布建設新的12英寸晶圓廠。中國大陸方面，此前行業(yè)消息顯示，2024年投產(chǎn)的12英寸晶圓廠還有華潤微、增芯科技、粵芯半導體，三個項目均位于廣東。
    12英寸晶圓產(chǎn)能持續(xù)放量