功率半導體

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

功率半導體(Power Semiconductor)是一種能夠承受較大電流和高電壓的半導體器件,其主要用途是進行控制和轉(zhuǎn)換高功率電信號。與普通半導體器件不同,功率半導體具有更強的電力控制能力和更高的工作效率,因此被廣泛應用于各類工業(yè)、家電、航空航天等領(lǐng)域。

功率半導體(Power Semiconductor)是一種能夠承受較大電流和高電壓的半導體器件,其主要用途是進行控制和轉(zhuǎn)換高功率電信號。與普通半導體器件不同,功率半導體具有更強的電力控制能力和更高的工作效率,因此被廣泛應用于各類工業(yè)、家電、航空航天等領(lǐng)域。收起

查看更多

電路方案

查看更多

設計資料

查看更多
  • AMEYA360 羅姆ROHM新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導體性能
    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,該模型提升了收斂性和仿真速度。 功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響,因此在設計階段的仿真驗證中,模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通過提高每種特性的復現(xiàn)性,滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面,該模
    141
    49分鐘前
  • 村田推出首款支持引線鍵合的功率半導體用樹脂模塑結(jié)構(gòu)NTC熱敏電阻,成功實現(xiàn)商品化
    株式會社村田制作所(以下簡稱“村田”)宣布,將功率半導體用NTC熱敏電阻“FTI系列”商品化。該系列產(chǎn)品是村田首款※1采用樹脂模塑結(jié)構(gòu)且支持引線鍵合※2的NTC熱敏電阻,通過設置在功率半導體附近,可以準確測量其溫度。此外,其工作溫度確保范圍高達-55°C至175°C,適合用于產(chǎn)生大量熱量的汽車動力總成用途※3。 ※1 根據(jù)村田內(nèi)部調(diào)查,截至2025年4月。 ※2 引線鍵合是一種通過細金屬線將半導體
    村田推出首款支持引線鍵合的功率半導體用樹脂模塑結(jié)構(gòu)NTC熱敏電阻,成功實現(xiàn)商品化
  • ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半導體的仿真速度實現(xiàn)質(zhì)的飛躍
    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,該模型提升了收斂性和仿真速度。 功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響,因此在設計階段的仿真驗證中,模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通過提高每種特性的復現(xiàn)性,滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面,該模
    ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半導體的仿真速度實現(xiàn)質(zhì)的飛躍
  • 英飛凌 IGBT7 系列芯片大解析
    核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 上回書(英飛凌芯片簡史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?,F(xiàn)今,英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT
    英飛凌 IGBT7 系列芯片大解析
  • 技術(shù)洞察 | 英飛凌CoolMOS? 8證實高壓硅基技術(shù)在功率電子領(lǐng)域仍然發(fā)揮著重要作用
    核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 近年來,媒體、網(wǎng)絡研討會和雜志幾乎每天都會報道碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件的大規(guī)模部署,它們作為新一代半導體材料,正勢不可擋地拓展應用范圍,似乎正在動搖硅基器件多年來在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的主導地位!然而,盡管電動出行和可再生能源政策為新技術(shù)
    技術(shù)洞察 | 英飛凌CoolMOS? 8證實高壓硅基技術(shù)在功率電子領(lǐng)域仍然發(fā)揮著重要作用