新思科技IP 組合在臺積公司3納米工藝上實現(xiàn)首次流片成功，加速先進芯片設計

基于臺積公司N3E工藝的廣泛IP組合能夠助力AI、移動和HPC?等新興領域實現(xiàn)業(yè)界領先的功耗、性能和面積（PPA）

/美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，基于臺積公司N3E工藝技術可提供廣泛的接口IP產品組合，成功引領了新一輪先進芯片設計浪潮。新思科技的半導體IP在最通用的協(xié)議等多條產品線上實現(xiàn)了流片成功，能夠提供業(yè)界領先的功耗、性能、面積（PPA）和低延遲。新思科技面向臺積公司N3E工藝的IP為臺積公司N3P集成提供了一條快捷路徑，助力開發(fā)者加速開發(fā)人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和移動設計。

新思科技IP營銷和戰(zhàn)略高級副總裁John Koeter表示：“新思科技提供了廣泛的高質量IP組合，助力開發(fā)者實現(xiàn)他們的設計目標，并以更低的風險將必要的IP快速集成到他們的設計中。新思科技面向臺積公司3納米工藝的IP已被數(shù)十家領先公司采用，助力他們加快開發(fā)周期，快速實現(xiàn)流片成功并加速上市時間?！?/p>

臺積公司設計基礎設施管理部負責人Dan Kochpatcharin表示：“我們與新思科技的長期合作，能夠讓雙方的共同客戶受益于已經在臺積公司先進工藝技術上得到驗證的廣泛IP組合。新思科技IP在臺積公司N3E工藝上實現(xiàn)流片成功印證了我們在長期合作中付出的努力，共同幫助開發(fā)者應對其SoC設計上嚴格的PPA和延遲要求，并加速下一代AI、HPC和移動應用的芯片創(chuàng)新?！?/p>